SK하이닉스, 용인 'Y1' 팹 구축 본격화…장비 발주 시작

Y1 ph1용 설비 발주...월 2만장 규모 1c D램 생산능력 확대

SK하이닉스가 용인 신규 메모리 생산기지 구축을 위한 본격적인 준비에 나섰다. 최근 주요 협력사들을 대상으로 최첨단 D램 제조장비에 대한 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 논의된 초기 투자 규모는 월 2만장 수준이다.

14일 반도체와 장비 업계에 따르면 SK하이닉스는 용인 Y1 팹에 대한 장비 발주를 진행하고 있다.

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도(사진=SK하이닉스)

내년 2월 시생산 라인 구축...장비 업계도 대응 서둘러

Y1은 SK하이닉스가 경기 용인시 처인구 원산면 일대에 조성 중인 대규모 반도체 클러스터의 첫 번째 팹이다. 1기 팹은 2개 골조와 6개 클린룸으로 구성된다. 이 중 첫번째 클린룸(ph1)은 공사가 한창 진행 중이다. SK하이닉스는 당초 내년 5월 Y1 ph1을 오픈할 예정이었으나, 일정을 내년 2월로 조금 앞당기기로 했다.

SK하이닉스는 이에 맞춰 일부 주요 협력사를 대상으로 Y1 ph1에 도입할 장비 발주를 시작한 것으로 파악됐다. 내년 2월 시생산(원패스) 라인 구축을 시작하고, 곧바로 3~4월께 월 2만장 규모의 생산능력 확대를 위한 본격적인 장비 셋업이 진행될 예정이다.

생산 타겟은 6세대 10나노급(1c) D램이다. 1c D램은 현재 상용화된 가장 최신 세대의 D램으로, AI용 고부가 DDR·LPDDR(저전력 D램) 제조 등에 활용된다. SK하이닉스의 경우 이르면 내년 본격 상용화되는 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)에도 1c D램을 적용한다.

아직 장비 발주가 나오지 않은 기업들도 대응을 서두르는 분위기다. SK하이닉스가 장비 도입을 앞두고 판매단가 계약 일정을 앞당기고 있어서다.

반도체 장비 업계 관계자는 "SK하이닉스가 통상 연말에 진행하던 판매단가 계약을 3분기 초부터 들어가기로 했다"며 "Y1 ph1에 설비를 최대한 빠르게 도입하기 위한 사전 작업"이라고 설명했다.

한편 SK하이닉스는 최근 반도체 수급 상황에 맞춰 용인 대규모 반도체 클러스터 구축 속도를 높이기 위한 전략을 구상 중이다. 총 600조원이 투입되는 용인 반도체 클러스터는 총 4개 팹으로 구성된다. 당초 4번째 팹 건설 완료 목표 시점은 2045년이었으나, 회사는 이를 2033년으로 12년 앞당겼다.

또 다른 장비업계 관계자는 "SK하이닉스가 올 하반기 Y1 ph2 및 ph3에 대한 클린룸 구축을 시작할 것으로 안다"며 "전반적으로 팹 구축 일정이 매우 타이트한 상황"이라고 말했다.