삼성전자, 8나노 eM램으로 차세대 車 반도체 승부수

자율주행·전기차 핵심 'eM램' 포트폴리오 강화... 2027년 5나노까지 확대 로드맵

삼성전자가 자율주행·전기차에 사용할 수 있는 고성능·저전력 특수 메모리인 eM램(embedded Magnetic Random Access Memory) 기술을 앞세워 글로벌 완성차 업체와 파운드리 협력을 강화하고 있다. 최근에는 주력인 8nm(나노미터, 10억분의 1m) 공정으로 eM램을 구현하며 차량 반도체 시장을 정조준하고 있다. 

8일 ISSCC 2026 발표자료에 따르면 삼성전자는 차세대 차량 반도체 솔루션인 '8나노 eM램' 양산을 눈앞에 두고 있다. 삼성전자가 0.6V 초저전압 환경에서 구동 성능을 실측 데이터로 입증하며, 상용화가 가능한 수준의 기술 완성도를 공식화한 것이다.

삼성전자가 ISSCC 2026에서 발표한 8나노 eM램 발표 자료.(사진=발표 자료 캡처)

14나노 대비 집적도 30% 향상… 고성능·저전력 동시 구현

8나노 eM램은 업계 최고 수준 저전력과 고속 성능을 자랑한다. 삼성전자가 공개한 세부 지표를 보면, 0.6V 초저전압 환경에서도 125MHz 고속 읽기 성능을 구현했다. 이는 전력 효율이 핵심인 전기차와 복잡한 연산을 실시간 수행해야 하는 자율주행용 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU)에 최적화된 사양이다.

이전 세대인 14나노 공정과 비교하면 성능 향상은 더욱 두드러진다. 8나노 eM램은 14나노 대비 칩 집적도는 30% 개선됐고, 데이터 읽기 속도는 33% 빨라졌다. 이는 동일한 면적 칩에 더 많은 기능을 집어넣으면서도 정보처리 효율은 높였음을 의미한다.

eM램이 차량 반도체 시장에서 필수 기술로 꼽히는 이유는 독보적 신뢰성과 속도에 있다. eM램은 낸드플래시 같은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지) 특성을 가지면서도, 데이터 처리 속도는 낸드보다 1000배 빠르다.

영하 40도에서 영상 150도에 이르는 극한의 주행 환경에서도 데이터 유실 없이 안정적으로 작동해야 하는 차량 반도체 특성상, 열에 강하고 내구성이 뛰어난 eM램은 기존 플래시 메모리를 대체할 최적 솔루션으로 평가받는다. 삼성전자는 8나노 공정 미세화로 전력 소모를 대폭 낮춤으로써 전기차 주행거리 연장에도 기여할 수 있다.

삼성전자 평택사업장(사진=삼성전자)

현대차 공급 레퍼런스 발판… 2027년 5나노 공정까지 확대

삼성전자는 eM램을 파운드리 사업부 미래 먹거리로 삼고, 로드맵에 따라 개발 중이다. 회사는 지난 2024년 말 14나노 eM램 공정 개발을 완료한 바 있다. 이를 바탕으로 현대자동차와 공급계약을 성사시키며 실질적 레퍼런스를 확보했다. 

삼성전자는 2026년 8나노 eM램 양산을 본격화할 계획이다. 2027년까지 5나노 공정으로 eM램 적용을 확대해 초미세 공정 기반 차량용 임베디드 메모리 시장에서 기술 격차를 벌린다는 구상이다. 

반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자가 테슬라의 2나노 자율주행 칩 수주에 이어 현대차와 eM램 협력도 이끌어내며 차량 포트폴리오를 강화하고 있다"며 "8나노 eM램 개발은 차량 레퍼런스를 견고히 하겠다는 삼성의 의지로 보인다"고 말했다.