테스, SiC 전력반도체용 핵심장비 상용화 성공

독자 기술로 8인치 SiC 웨이퍼 성장 지원

반도체 전공정 전문 장비업체 테스는 SiC(탄화규소) 전력반도체 핵심장비 상용화에 성공해 본격적인 출시를 시작한다고 8일 밝혔다.

SiC 전력반도체의 핵심 공정인 에피(Epi) 성장을 위한 HTCVD(고온CVD)는 기술 난이도가 높아 그동안 유럽, 일본의 업체가 사실상 공급을 독점해온 장비다. 테스는 2016년부터 판매 중인 DUV(극자외선) LED용 고온 MOCVD의 핵심기술을 활용해, SiC 전력소자 성장 장비인 HTCVD 'TRION'을 3년만에 상용화했다.

테스의 SiC 전력반도체 Epi 성장 증착장비 'TRION'(사진=테스)

TRION의 핵심 기술은 1천650도 고온의 공정온도에서도 8인치 웨이퍼 내의 온도 편차를 5도 이하로 가능하게 하는 'TRION 스페셜 RF 히터' 와 공정 가스 분사시 두께, 도핑의 균일도를 미세하게 조절할 수 있는 'TTPN(튜너블 트리플 페어 노즐; Tunable Triple Pair Nozzle)' 기술이다.

테스는 "독자 기술을 통해 에피 성장의 성능을 결정하는 온도 균일도 향상은 물론, 고객사 유지보수의 편의성과 생산성을 획기적으로 개선했다"며 "또한 TTNP 기술로 가스의 양, 속도, 방향을 미세하게 조정함으로써 최상의 8인치 두께 및 도핑 균일도를 확보했다"고 설명했다.

테스는 해당 제품을 오는 14일부터 부산 벡스코에서 개최하는 ICSCRM 2025에서 소개할 예정이다.