로옴, 650V 내압 GaN HEMT로 소형·고방열 TOLL 패키지 개발

오토모티브용 GaN 디바이스의 양산 개발 가속화

로옴(ROHM)이 650V 내압 GaN HEMT의 새로운 TOLL(TO-LeadLess) 패키지 제품 'GNP2070TD-Z'의 양산을 시작했다고 5일 발표했다.

사진=로옴

TOLL는 소형, 고방열 특성과 동시에 전류 용량 및 스위칭 특성도 우수하여, 산업기기 및 자동차기기 중에서도 대전력 대응이 요구되는 애플리케이션에서 채용이 추진되고 있는 패키지다.

신제품은 제2세대 GaN on Si Chip을 탑재해 ON 저항과 입력 용량 관계를 나타내는 디바이스 성능 지표(RDS(ON)×Qoss)에서 업계 최고 수준을 달성했다. 이를 통해 고내압 및 고속 스위칭이 필요한 전원 시스템의 소형화와 저전력화가 가능해졌다.

특히 이번 제품은 반도체 후공정 전문기업 ATX세미컨덕터와 협력을 통해 개발됐다. 로옴은 자체 보유한 디바이스 설계 기술과 노하우를 활용해 설계·기획을 담당했으며, 전공정은 대만 파운드리 업체 TSMC가, 후공정은 ATX가 맡아 생산하고 있다.

리아오 홍창 ATX SEMICONDUCTOR 총괄이사는 "로옴과는 2017년부터 기술 교류를 시작했으며, GaN 디바이스 후공정 제조 분야의 당사 실적과 기술력을 인정받아 이번 협업이 성사됐다"고 밝혔다.

로옴은 ATX와 오토모티브용 GaN 디바이스의 생산에 있어서도 협업을 예정하고 있다. 오토모티브용 GaN 디바이스 시장이 2026년부터 본격 성장할 것으로 예상됨에 따라, ATX와 오토모티브 분야 협력도 확대해 나갈 계획이다.

사토시 후지타니 로옴 AP생산본부장은 "ATX와 같은 높은 기술력을 보유한 OSAT와의 협업으로 급성장하는 GaN 시장에 대응할 수 있게 됐다"며 "앞으로도 GaN 디바이스의 성능 향상을 통해 다양한 애플리케이션의 소형화와 고효율화를 추진하겠다"고 말했다.

한편 로옴은 지난해 12월부터 해당 제품의 양산 및 온라인 판매를 시작했다. CoreStaff Online, Chip 1 Stop 등 온라인 부품 유통 사이트를 통해 개당 3천엔(세금 별도)에 구매할 수 있다.