삼성전자, HBM3E 개선품 만든다…엔비디아 공략 승부수

[컨콜] 1a D램 일부 재설계해 투트랙 대응...내년 상반기 양산 목표

삼성전자는 31일 올 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E(5세대 고대역폭메모리) 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다.

해당 발언은 삼성전자가 HBM 공급을 지속 추진 중인 엔비디아를 겨냥한 것으로 분석된다.

삼성전자가 36GB(기가바이트) 12단 HBM3E를 개발했다. (사진=삼성전자)

당초 삼성전자는 HBM3E 제품을 올 3분기부터 엔비디아에 공급하는 것을 목표로 잡았으나, 현재까지 공식적으로 퀄(품질) 테스트 통과는 이뤄지지 않았다.

SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사가 HBM에 1b D램(5세대 10나노급)을 활용한 것과 달리, 삼성전자는 이전 세대인 1a D램을 채택한 것이 주요 원인으로 지목된다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 만들기 때문에 D램의 성능이 중요하다.

이에 삼성전자는 HBM 성능의 핵심 요소인 1a(4 세대 10나노급 D램) D램의 일부 회로를 재설계(Revision)해 성능을 높이는 방안을 논의해 왔다. 기존 범용 D램은 그대로 생산하되, 특정 고객사용 HBM을 타겟으로 제품을 만드는 '투 트랙' 전략이 유력하게 거론돼 왔다.

실제로 삼성전자는 이번 컨퍼런스콜을 통해 HBM3E의 개선 제품을 만들겠다고 공언했다. 일정이 차질없이 진행되는 경우, 개선 제품의 개발은 이르면 내년 2분기 양산 준비에 들어갈 전망이다.

삼성전자는 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제량으로 공급을 확대할 것"이라며 "이와 병행해 개선 제품은 신규 과제량으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려나갈 예정"이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 올 4분기 HBM 사업 전망에 대해서는 "HBM3E가 전체 HBM에서 차지하는 비중은 50%로 예상된다"고 밝혔다.

이어 "HBM3E가 예상 대비 주요 고객사향 사업화가 지연됐으나, 현재 퀄 테스트 과정 상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했다"며 "이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 설명했다.