삼성전자는 31일 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "HBM(고대역폭메모리)의 경우 전분기 대비 매출 증가 폭이 70%를 상회했고, 서버향 DDR5는 10% 중반, 서버향 SSD는 30% 중반을 기록했다"고 말했다.
그러면서 "결과적으로 부진 재고 감축의 영향에도 불구하고 고수익 제품 판매에 힘입어 평균판매금액(ASP)는 D램 낸드 모두 전 분기 대비 한 자릿수 후반 상승했다"고 밝혔다.
내년 계획에 대해서는 "D램에서 HBM3E 판매를 더욱 확대하고, HBM4의 경우 하반기 개발 및 양산 진행 예정이다"라며 "레거시 라인에서의 1b나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화되고 있는 구공정 기반의 DDR4, LPDDR4의 비중을 줄이고 서버향 128기가바이트 이상 DDR5 모듈, 또 모바일 PC, 서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품의 비중을 적극적으로 확대할 계획이다"고 전했다.
이어 "낸드의 경우 서버 SSD의 판매를 확대하는 가운데 64 테라바이트, 128 테라바이트 SSD를 포함한 QLC 제품 기반 고용량 제품 트렌드에 적극 대응할 예정이다"고 말했다.
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