TI, 日 아이주 팹 가동...GaN 전력반도체 제조 역량 4배 확대

2030년까지 내부 제조 비율 95% 이상 확대 목표

종합반도체 기업 텍사스인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다고 25일 밝혔다. 

TI는 미국 텍사스주 댈러스에 위치한 기존 GaN 제조 시설에 이어 아이주 공장이 가동되면서, 자체적으로 제조하는 GaN 기반 전력 반도체의 제조량이 4배 증가됐다.

TI 일본 아이주 GaN 웨이퍼 팹 (사진=TI)

모하마드 유누스 TI 기술 및 제조 담당 수석 부사장은 “TI가 10년 이상 쌓아온 GaN 칩 설계 및 제조 분야의 전문성을 바탕으로 200mm GaN 기술을 성공적으로 검증하고 이를 통해 아이주에서 대량 생산을 시작하게 됐다"고 말했다.

이어 그는 "이번 성과를 통해 TI는 2030년까지 GaN 칩 내부 제조 비율을 95% 이상으로 확대하게 됐다"라며 "TI의 여러 공장에서 에너지 효율적인 고전력 반도체로 구성된 전체 GaN 포트폴리오를 안정적으로 공급할 수 있을 것"이라고 전했다.

아울러 TI는 올해 초 300mm 웨이퍼에서 GaN 제조 공정 개발을 위한 파일럿을 성공적으로 완료하는 등 투자를 확대하고 있다. 이에 따라 TI는 고객의 요구에 따라 GaN 제조 공정을 300mm 기술로 전환할 수 있는 입지를 확보했다.

TI 반도체 조립 및 테스트 공장 직원(사진=TI)

GaN은 실리콘을 대체하는 반도체 소재로 에너지 효율성, 스위칭 속도, 전력 솔루션 크기와 무게, 전체 시스템 비용, 고온 및 고전압 조건에서 장점을 제공한다. GaN 반도체는 더 높은 전력 밀도나 더 작은 공간에서 전력을 제공해야 하는 노트북 및 휴대폰용 전원 어댑터, 냉난방 시스템, 가전제품을 위한 모터에 활용될 수 있다.