SK하이닉스 "HBM4 내년 하반기 고객 출하...TSMC와 원팀"

[컨콜] 맞춤형 HBM4 안정적으로 공급 목표

SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리) 6세대 제품인 'HBM4'를 예정대로 내년 하반기 고객에 출하를 목표로 한다고 밝혔다. 아울러 HBM4에서는 파운드리업체 TSMC와 협력을 강화할 예정이다.

SK하이닉스는 24일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM4에서는 IO 개수가 2배로 늘어나고, 저전력 성능을 위해서 새로운 스킨이 적용되고, 처음으로 로직 파운드리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"고 말했다.

SK하이닉스 HBM3E 12단(사진=SK하이닉스)

이어 "기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 (파운드리 업체와) 깊이 있는 기술 교류가 필요하다. 이에 따라서 당사와 파운드리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있다"고 강조했다.

SK하이닉스의 파트너사인 TSMC는 파운드리 시장에서 60% 이상 점유율로 1위이며, 고객사로 엔비디아를 확보하고 있다.

D램과 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈 줄여서 원가를 절감하는 것보다 고객이 원하는 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 중요하다.

SK하이닉스는 "HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 적기 때문에 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한 적이다. 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b나노, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 준비 중"이라며 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 말했다.

SK하이닉스의 HBM 기술 강점으로 MR-MUF 패키징이 꼽힌다. MR-MUF는 과거 SK하이닉스 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상시킨 기술이다. 최근 도입한 어드밴스드(Advanced) MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다.