ST, 4세대 실리콘 카바이드 전력 기술 발표...차세대 전기차 지원

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 4세대 STPOWER SiC(실리콘 카바이드) MOSFET 기술을 공개했다. ST는 2027년까지 한층 발전된 SiC 혁신 기술을 발표할 계획이라고 밝혔다.

4세대 STPOWER SiC 기술은 자동차 및 산업 시장의 요구를 모두 충족하는 동시에 특히 전기차 파워트레인의 핵심 구성요소인 트랙션 인버터에 최적화돼 있다. 또 4세대 기술은 AQG324 자동차 표준을 초과하는 DRB(Dynamic Reverse Bias) 조건에서 더욱 견고한 성능을 제공하므로 혹독한 조건에서도 안정적인 동작을 보장한다.

ST마이크로일렉트로닉스, SiC(실리콘 카바이드) MOSFET 기술(사진=ST)

ST는 3세대에 이어 4세대 디바이스에서도 최소한의 손실로 높은 전류 처리 성능을 보장하기 위해 RDS(on) x 다이 면적 성능지수를 제공한다. 4세대 디바이스의 평균 다이 크기는 25℃에서의 RDS(on)을 고려할 때, 3세대보다 12~15%가량 더 작기 때문에 더욱 소형화된 전력 컨버터 설계가 가능하고, 공간을 줄이고 시스템 비용을 절감해준다.

ST의 SiC MOSFET 디바이스는 750V 및 1200V 등급으로 제공되며, 400V 및 800V 버스 트랙션 인버터의 에너지 효율성과 성능을 개선한다. 전기차를 빠르게 충전해주고, 중량을 줄여준다. 이를 통해 차량 제조사들은 더 긴 주행거리를 지원하는 프리미엄 모델 차량을 생산할 수 있다. 그 밖에 차세대 SiC 기술은 태양광 인버터, 에너지 저장 솔루션, 데이터센터 등 다양한 고전력 산업 애플리케이션에도 에너지 효율성을 높여준다.

ST는 4세대 SiC 기술 플랫폼 기반의 750V 등급에 대한 품질 인증을 완료했으며, 1200V 등급은 2025년 1분기에 품질 인증을 완료할 예정이다. 750V 및 1200V 정격 전압의 디바이스가 상용화되면 설계자들은 표준 AC 라인 전압에서 고전압 전기차 배터리 및 충전기까지 동작하는 애플리케이션을 처리할 수 있다.

마르코 카시스(Marco Cassis) ST 아날로그, 전력 및 디스크리트, MEMS, 센서 그룹 사장은 "ST는 디바이스와 첨단 패키지, 전력 모듈을 혁신하면서 SiC MOSFET 기술을 지속적으로 발전시키고 있다"며 "수직 통합 제조 전략과 더불어 업계를 선도하는 SiC 기술 성능과 탄력적인 공급망을 제공하면서, 증가하는 고객 수요에 대응하고 보다 지속 가능한 미래에 기여하고 있다"고 밝혔다.