SK하이닉스, TSMC 포럼서 HBM3E·엔비디아 H200 나란히 전시...동맹 강조

1c나노 DDR5 RDIMM 최초 공개...고객·파운드리·메모리 3자 협업 강조

SK하이닉스가 25일(미국시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 TSMC OIP 에코시스템 포럼 2024(이하 OIP 포럼)에서 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 함께 전시해 TSMC와 전략적 파트너십을 강조했다.

아울러 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(이하 DDR5 RDIMM(1cnm))을 세계 최초로 공개해 주목을 받았다. 

SK하이닉스가 최초 공개한 DDR5 RDIMM(1cnm) 실물과 DDR5 MCRDIMM, DDR5 3DS RDIMM, LPCAMM2, GDDR7, LPDDR5T(사진=SK하이닉스)

OIP는 TSMC가 반도체 생태계 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다. TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 미국, 일본, 대만 등 세계 각국에서 OPI 행사를 개최한다. 

SK하이닉스는 올해 처음으로 이 행사에 참여했다. ‘MEMORY, THE POWER OF AI’를 주제로 ▲글로벌 No.1 HBM ▲AI·데이터센터 솔루션 등 두 개 섹션을 꾸리고 HBM3E, DDR5 RDIMM(1cnm), DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리를 선보였다.

특히 글로벌 No.1 HBM 섹션에서는 ‘HBM3E’와 엔비디아 ‘H200’을 공동 전시하며 '고객사·파운드리·메모리' 기업의 기술 협력을 부각했다. ‘HBM3E 12단’은 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도를 자랑하는 AI 메모리다. 성능 검층을 마친 HBM3E 12단은 H200의 성능을 크게 향상시킬 것으로 기대된다.

SK하이닉스 부스 내 HBM3E와 함께 전시된 H200(사진=SK하이닉스)

AI/데이터센터 솔루션 섹션에서는 ‘DDR5 RDIMM(1cnm)’ 실물을 처음으로 공개해 많은 관심을 모았다. DDR5 RDIMM(1cnm)은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다. 이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대를 모은다.

이외에도 회사는 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 ‘DDR5 MCRDIMM*’과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 ‘DDR5 3DS RDIMM’ 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다. 또, LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 ‘LPCAMM2’, 세계 최고속 모바일 D램 ‘LPDDR5T’ 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 ‘GDDR7’까지 선보였다.

MCRDIMM은 여러 개의 D램이 기판에 결합된 모듈 제품으로, 모듈의 기본 정보처리 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품이다. 

이병도 SK하이닉스 TL(HBM PKG TE)은 ‘OIP 파트너 테크니컬 토크’ 세션에서 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다.

한편, SK하이닉스는 이번 행사를 ‘AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리’라고 평가했다. 회사는 앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침이다.