인텔, VLSI 심포지엄서 인텔 3 공정 개선 사항 공개

같은 전력서 인텔 4 공정 대비 최대 18% 성능 향상... 집적도는 최대 10% 증가

인텔은 최근 미국 하와이에서 진행된 연례 글로벌 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 최근 본격 가동에 들어간 '인텔 3'(Intel 3) 공정의 개선 사항을 공개했다고 밝혔다.

인텔 3 공정은 EUV(극자외선)을 활용하는 인텔 두 번째 공정이며 2021년 팻 겔싱어 CEO 취임 이후 공개된 '4년 내 5개 공정'(5N4Y) 로드맵의 세 번째 단계에 있다.

인텔 비전 행사에서 인텔 3 공정 기반 제온6 웨이퍼를 공개하는 팻 겔싱어 인텔 CEO. (사진=인텔)

인텔 3 공정은 지난 해 하반기부터 대량생산 단계(HVM)에 돌입한 인텔 4(Intel 4) 공정의 트랜지스터와 메탈 커넥트 등을 개선했다.

전체 프로세서 코어에서 동일 전력 공급시 인텔 4 공정 대비 최대 18% 더 나은 성능을 내며 같은 면적에서 최대 10% 더 많은 트랜지스터를 집적했다.

인텔 3 공정에서 생산된 제온6 6700E, 제온6 6900E, 제온6 6900P 프로세서. (사진=지디넷코리아)

인텔 3 공정은 미국 오레곤과 아일랜드 레익슬립 소재 시설에서 가동중이다. 오는 3분기부터 시장에 공급될 제온6 6700E 프로세서 등 인텔 내부 제품은 물론 외부 고객사 반도체 위탁 생산에도 활용된다.

인텔은 올 하반기부터 인텔 3 공정을 다양한 고객사의 요구사항에 맞게 확장 예정이다. (사진=인텔)

인텔은 올 하반기부터 인텔 3 공정을 다양한 고객사의 요구사항에 맞게 확장 예정이다.

컴퓨트 노드와 메모리 등 3차원 적층을 위한 인텔 3-T 공정, I/O 세트를 추가한 인텔 3-E 공정, 9나노미터급 TSV와 하이브리드 본딩 등을 적용하고 성능을 개선한 인텔 3-PT 공정 등이 내부/외부 파운드리 고객사를 위해 가동 예정이다.