파워큐브세미, 전력반도체 2300V SiC MOSFET 개발 완료

"송배전용 인버터에 공급 협의 중"

파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC(실리콘카바이드) MOSFET 반도체 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.

SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불린다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다.

파워큐브세미는 2300V SiC(실리콘카바이드) MOSFET 반도체를 개발했다.사진은 반도체 웨이퍼. (사진=파워큐브세미)

팹리스 기업 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 등 3개 소자의 전력반도체를 개발한다. 최근에는 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다.

이번에 출시한 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례라는 점에서 주목된다. 독일의 글로벌 전력반도체 기업인 인피니언도 지난 3월 2000V 제품을 출시하였다고 밝힌 바가 있으나, 2300V 제품 라인업은 구비하지 못한 상황이다. 

경신수 파워큐브세미 CTO는 "기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다"고 밝혔다.

2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 애플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다.

강태영 파워큐브세미 대표는 "수 년간의 노력이 결과물로 나오게 되어 기쁘다"라며 "단순한 개발 사례로 끝나지 않고 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 및 판매할 수 있도록 만전을 기하겠다"고 밝혔다.