SK하이닉스 "HBM 수요 연평균 60% 성장...HBM3E 상반기에 공급"

[컨콜] HBM 필수 기술 'TSV 캐파' 올해 2배 확대

SK하이닉스는 AI 응용처 확대로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 연평균 60% 성장이 예상된다고 밝혔다. 아울러 SK하이닉스는 올해 상반기 중으로 HBM3E를 공급하고, 응용처를 다양하게 확대할 계획이다.

25일 SK하이닉스는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"라며 "AI 상용화 수준과 신규 응용처 확대로 업사이드 포텐셜(성장 가능성)까지 고려하면 그 성장률은 추가 확대될 것으로 전망한다"고 말했다.

SK하이닉스는 이런 수요에 대비해 HBM 캐파를 늘리고 신제품 HBM3E 공급을 확대한다는 전략이다.

SK하이닉스 HBM3E 제품(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 "올해 수요가 본격적으로 발생하는 HBM3E는 양산 준비가 순조롭게 되고 있어 상반기 중에 공급을 시작할 예정이다"라며 "AI 시장의 리딩 플레이어뿐만 아니라 AI 시장에서 큰 비중을 차지할 CSP(클라우드 서비스 제공업체),  AI 칩셋 업체를 포함한 잠재 고객까지 비즈 영역을 확장할 계획이다"고 전했다.

HBM 생산을 위해서는 높은 기술력과 일반 D램 보다 많은 캐파가 필요하다. 이런 특징으로 HBM은 가격 경쟁력에서도 우위를 보인다.

회사는 "HBM의 경우 일반 D램 제품 대비 동일 생산량 양산을 위해 요구되는 캐파가 최소 2배 이상 증가한다"라며 "캐파를 늘리지 않는다고 가정한다고 하면 HBM 생산을 늘릴수록 일반 D램에 할당 가능한 웨이퍼 캐파가 상당히 축소된다. 이에 따라 HBM 양산 확대 수준에 따라 일반 D램의 수급이 매우 타이트해질 가능성이 있다"고 진단했다.

HBM은 대표적인 AI향 제품으로 스펙의 표준화는 되어 있지만 일반 D램 제품과 달리 TSV(실리콘관통전극) 공정이 추가로 필요하고, 여러 칩을 적층에서 패키징을 해야 하는 등 완제품 생산까지 필요한 과정이 훨씬 복잡하고 까다롭다.

이에 SK하이닉스는 "수요 가시성 확보 하에 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 계획이며, 추가 투자에 대해서는 중장기 수요와 시장 환경 그리고 서플라이체인 현황 등을 종합적으로 고려해서 신중하게 결정할 것"이라고 말했다.

HBM은 완제품이 생산되더라도 이를 GPU와 결합하는 패키징 단계가 추가로 필요하다. 아울러 고객과 메모리 업체 간의 협업뿐만 아니라 후공정 업체와의 협업도 필요하기 때문에 원활한 수요 충족을 위해서는 서플라이 체인 간 병목이 없어야 한다. 또 HBM 제품을 생산하는 데 투입되는 높은 비용과 상대적으로 긴 제조 시간을 고려해 시적절한 수요 대응을 위해서는 고객과 긴밀한 사전 협의가 필요하다

SK하이닉스는 "당사는 HBM에 투입되는 R&D 그리고 캐파 투자 비용, 라이프 사이클 그리고 일반 D램 제품의 가격 등을 종합적으로 고려해서 최소 연간 베이스로 가격을 협상하고 있다"라며 "이런 결정으로 HBM 가격의 안정성은 일반 제품 대비 높고, 향후 HBM 시장이 확대될수록 D램 사업의 가격 안정성은 높아질 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

이어서 "올해는 일반 D램 제품의 급격한 가격 상승으로 작년에 비해서는 HBM 가격 프리미엄이 다소 줄어들 수는 있지만, 올해 신규 출시로 판매가 확대되는 HBM3E는 HBM3 대비 개발 난이도가 증가하고 투입 비용이 증가되는 점을 고려해서 가격 프리미엄이 반영될 것"이라며 "HBM 제품 내에 믹스 변화로 인한 프리미엄 수준을 유지해 나갈 수 있을 것으로 예상한다"고 전했다.