삼성전자가 세계 3대 반도체 학회인 '국제고체회로학회(ISSCC) 2024'에서 총 14개 논문이 채택되며 전세계 기업 중 최다를 기록했다. 국가별 순위에서는 중국이 총 69내 논문이 채택되면서 지난해 이어 2년 연속 1위를 차지했다. 중국의 논문은 양 뿐 아니라 질까지 높아지면서 중국의 반도체 설계기술 굴기가 성과를 내고 있다는 평가가 나온다.
지난 1954년 처음 개최된 이래 이번에 71회를 맞이한 ISSCC는 반도체 집적회로 설계 기술의 올림픽으로 불린다. 세계 각국 3000여 명의 반도체 공학인들이 참여해 연구 성과를 공유하는 자리다. 공식 'ISSCC 2024' 행사는 내년 2월 18~22일 미국 샌프란시스코에서 개최다.
23일 성남시 판교에서 진행된 'ISSCC 2024 간담회'에서는 논문 채택 현황과 반도체 집적회로 관련 최신기술 현황이 발표됐다.
중국, ISCCC 논문 채택수 1위…반도체 굴기 성공했나
이번 ISSCC에는 총 873개 논문이 제출되면서 2023년(629)개 보다 무려 42개가 늘어났다는 점이 눈에 띈다. ISCC가 개최된 이후 논문 제출 수가 700개가 넘어간 것은 처음이다. 이는 중국(중국+홍콩+마카오 포함)이 제출한 논문수가 크게 늘어난데 따른 변화다.
결과적으로 ISCC에서는 총 234개 논문만 채택했지만, 이중 중국은 총 69편의 논문을 채택시키면서 미국을 제치고 2년째 최다 논문 채택 국가가 됐다. 11개의 중국대학이 2편 이상의 논문을 발표한 셈이다. 2위 미국에 이어 3위인 한국은 역대 최다인 49개 논문이 채택되면서 이전 보다 좋은 성적을 냈다는 평가다.
ISSCC 학회에서 아시아 지역 부의장을 맡은 최재혁 서울대학교 전기⋅정보공학부 교수는 “중국 내 반도체 회로 설계 연구의 저변이 급속히 확대되면서, 중국 내 다양한 학교와 연구소에서 엄청난 수의 논문이 제출됐고, 이로 인해 전체 논문 제출 수가 작년대비 논문 40% 가까이 증가했다”고 분석했다.
이어 그는 “중국 논문은 양적 증가 뿐 아니라 질적 향상도 인정해야할 현실”라며 “10년 전만 하더라도 중국이 이정도까지 올라올 것으로 예상하지 못했다. 당시 미국에서 반도체를 공부하는 중국 학생들과 훌륭한 교수들이 많았는데, 몇 년 사이 중국이 굉장히 좋은 조건으로 교수들과 연구자들을 본국으로 데려가면서 지금 같은 결과에 큰 영향을 미친 것 같다”고 말했다. 이는 중국의 반도체 설계기술 굴기가 성공했다는 것을 의미한다.
반면, 한국 또한 정부의 적극적인 지원이 필요하다는 의견이 나온다. 최 교수는 “우리나라 연구자들이 중국에 비하면 적은 인력과 물적지원에도 고군분투하고 있는 상황”이라며 “반도체가 우리나라의 핵심 산업인 만큼 정부의 지속적인 관심과 지원이 절실하다”고 전했다.
삼성전자·SK하이닉스, GDDR7과 280단 낸드로 메모리 기술 주도
중국의 강세 속에서도 삼성전자는 메모리와 첨단공정과 관련해 14개 논문이 채택되면서 전세계 기업 순위에서 2년 연속 1위를 수성했다. 2위 TSMC(6개)에 이어 SK하이닉스는 차세대 메모리 기술 논문이 높은 평가를 받으면서 3위(3개)를 기록했다. 대학에서는 카이스트(KAIST)(14개)가 마카우대학(14개)과 함께 전체 대학에서 1위를 나란히 기록했다.
메모리 분과를 담당하는 김동규 SK하이닉스 펠로우는 “메모리 분야는 여전히 한국이 강세”라며 “메모리 분과에서 총 28편의 논문이 발표되는데 이 중 한국(삼성전자, SK하이닉스)이 9편으로 32%를 차지하며 1위다”고 말했다.
삼성전자는 업계 최초로 37Gbps 속도의 D램 기술을 발표한다. 이는 지난 7월 삼성전자가 발표한 32Gbps GDDR7 D램 보다 더 향상된 속도의 메모리다. 삼성전자는 9세대 280단 1테라(T) 낸드플래시와 32Gb DDR5 D램을 발표한다. 삼성전자는 지난 10월 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이라고 밝힌 바 있다. 고대역폭메모리(HBM) 시장 1위인 SK하이닉스는 이번 학회에서 16단 48GB HBM3E 기술을 최초로 공개할 예정이다.
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디지털 서킷(DCT) 분과에서 삼성전자는 3나노미터 GAAFET(Gate All Around FET) 공정을 활용한 모바일용 칩(SoC) 컴퓨팅 디지털 LDO, 시큐리티 분과에서는 4나노 공정기반 TRNG(True Random Number Generator) 등 기술을 공개할 예정이다.
또 지난해 중국 논문이 90%를 차지하고, 한국 논문이 없었던 데이터 컨버터(DC) 분과에서 올해 한국논문 3편(삼성전자 2편, GIST 1편)이 채택됐다는 점에서 주목된다. 또 아시아 지역이 강세인 파워매니지먼트(PM) 분과에서는 28개 논문 중 한국이 8개가 채택되면서 작년보다 2배 증가했다. 특히 카이스트가 5편을 발표하면서 큰 기여를 했고, 삼성전자 또한 1편 논문이 채택되는 성과를 냈다.
