SK하이닉스 "내년 투자, 올해보다 늘린다...선단 공정에 집중"

HBM3E·DDR5 고부가 제품 생산에 주력...내년 말 D램서 1a·1b 생산 비중 절반 이상 차지

SK하이닉스는 26일 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 "내년 시설투자(캐펙스·CAPEX)는 올해보다 증가할 것"이라며 "다만 투자 효율성과 재무 건전성, 투자 우선순위를 고려해 증가분을 최소화하겠다"고 말했다.

SK하이닉스의 작년 투자 규모는 19조원으로, 올해는 작년 대비 50% 이상 감축하겠다는 입장을 밝힌 바 있다.

SK하이닉스 이천 캠퍼스(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 "내년에도 기술 경쟁력을 유지하고 증가하는 수요에 충분히 대응하려면 올해와 같은 수준의 투자와 생산 규모로는 한계가 있을 것으로 판단한다"라며 "특히 경쟁 우위를 가지고 있는 제품에 대한 고객 수요에 적절히 대응하기 위해서 투자는 불가피하다고 본다"고 설명했다.

SK하이닉스는 HBM, DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품과 5세대(1b) D램을 중요한 투자 영역으로 보고 있다.

회사는 "D램은 2024년 수요 성장을 주도할 DDR5, HBM3E와 같은 고부가 제품 생산 확대를 위해 선단 공정 전환에 힘쓸 예정이고, 2024년 말까지 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 예정이다"고 말했다.

이어 "다만 투자 증가와 가동률 회복은 시장 상황에 맞춰 점진적으로 진행할 예정이며, 업계 전체적으로 감산 전 최대인 2022년 4분기 캐파 수준으로 도달하기까지는 상당한 기간이 필요하다"고 진단했다.

SK하이닉스는 "선단 공정으로 전환과 중장기 경쟁력 확보를 위한 인프라 투자 등으로 캐팩스 규모는 올해 대비 확실히 증가하지만, 투자 우선순위를 고려해서 증가분을 최소화할 계획이다"고 덧붙였다.