이재용 삼성전자 회장이 19일 오후 삼성전자 기흥·화성 캠퍼스를 찾아 차세대 반도체 R&D 단지 건설현장을 둘러보고, 반도체 전략을 점검했다.
이 회장은 지난해 8월 기흥 반도체 R&D 단지 기공식에도 참석한 바 있다. 오는 27일 회장 취임 1주년을 앞두고 이 회장은 주력 사업인 반도체 R&D 단지 건설 상황을 점검한다는 점에서 주목된다. 기흥 캠퍼스에 건설되는 차세대 반도체 R&D 단지는 미래 반도체 기술을 선도하는 핵심 연구 기지 역할을 하게 될 전망이다.
이재용 회장은 "대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다"고 당부하며, 위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자의 중요성을 강조했다.
또 이 회장은 경영진 간담회에서 차세대 반도체 기술 개발 현황을 보고 받고, 메모리·파운드리·팹리스시스템반도체 등 반도체 전분야에 대한 경쟁력 제고 방안을 논의했다.
이날 삼성전자 반도체연구소에서 진행된 경영진 간담회에는 경계현 DS부문장 사장,이정배 메모리사업부장 사장, 최시영 파운드리사업부장 사장, 송재혁 DS부문 CTO 사장 등 DS부문 경영진들이 참석했다.
해외 출장 중인 최시영 사장을 비롯한 일부 경영진은 화상 회의로 참석했으며 ▲첨단 공정 개발 현황 ▲기술력 확보 방안 ▲공급망 대책 등 주요 현안에 대해 심도있게 논의했다.
삼성전자가 국내에 새로운 R&D 단지를 세우는 것은 2014년 경기 화성 사업장 디바이스솔루션리서치(DSR) 설립 이후 8년 만이다. 기흥캠퍼스는 이병철 삼성 회장이 1980년대 반도체 사업을 시작한 상징적인 곳이다.
기흥 반도체 R&D 단지는 약 109,000㎡(3만3천여 평) 규모로 건설되며, 삼성전자는 2025년 중순 가동 예정인 반도체 R&D 전용 라인을 포함해 2030년까지 연구단지 조성에 약 20조원을 투자한다. 이곳은 연구, 생산, 유통이 한 곳에서 이뤄지는 복합형 연구 단지로, 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용될 수 있는 고도의 인프라를 갖추게 된다.
한편, 이재용 회장은 반도체 기술 인재를 격려하고, 위기를 극복하기 위한 행보를 이어 오고 있다.
이 회장은 지난 3월 반도체연구소 신입 박사 연구원들과의 간담회에서 "반도체 연구소를 양적·질적인 측면에서 두 배로 키워나갈 예정"이라고 언급하며 R&D 역량 강화의 중요성을 강조했다.
지난 2월에는 천안·온양 캠퍼스를 찾아 HBM(고대역폭 메모리), WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 등 첨단 반도체 패키지 라인을 점검했다.
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당시 이재용 회장은 "어려운 상황이지만 인재 양성과 미래 기술 투자에 조금도 흔들림이 있어서는 안된다"고 당부한 바 있다.
한편, 삼성전자는 지난해 5월 '반도체 초강대국' 달성을 주도하겠다는 비전을 발표하며 ▲메모리에서는 공정 미세화의 한계를 극복할 수 있는 신소재·신구조에 대한 R&D를 강화하고 ▲반도체 미세화에 유리한 극자외선(EUV) 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술을 선제적으로 적용한다고 밝힌 바 있다.