로옴, 초고속 구동 제어 IC 개발…GaN 기기 성능 개선

일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 3일 질화갈륨(GaN) 기기 고속 스위칭 성능을 끌어올리는 초고속 구동 제어 집적회로(IC) 기술을 개발했다고 밝혔다.

로옴은 초고속 펄스 제어 기술 ‘나노 펄스 콘트롤’ 수준을 높여 제어 펄스 폭을 기존 9ns(나노/초)에서 2ns로 줄였다고 설명했다.

(그림=로옴)

로옴의 GaN 기기 ‘EcoGaN’과 함께 쓰면 기지국이나 데이터센터, 드론 등 부품을 작고 전력 효율이 높게 만들 수 있다고 강조했다.

로옴은 이 기술을 사용한 제어 IC를 제품으로 추진하고 있다. 올해 하반기 100V 입력 1채널 직류(DC)-DC 컨트롤러 신제품을 선보이기로 했다.