삼성전자가 업계 최초로 최선단 12나노급 공정 기반 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다. 해당 제품은 내년에 양산될 예정이다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.
또 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나가고, 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.
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삼성전자는 2023년부터 12나노급 D램을 양산하고 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인할 계획이다. 삼성전자는 AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화를 완료했다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.
