삼성전자가 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 들어갔다. 이 제품은 차세대 엔터프라이즈 서버 시장을 주도하고 자동차 시장에 공급을 목표로 한다.
삼성전자 '1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다.
7일 업계에 따르면 8세대 V낸드는 최초 236단 낸드플래시 제품으로 추정된다. 삼성전자는 지난해 7월 세계 최초로 176단 낸드플래시 7세대 V낸드를 양산한데 이어 이번에 200단 이상 낸드플래시 양산에 성공한 것이다.
8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다. 또 8세대 V낸드는 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도한다는 목표다. 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
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허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"며, "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 밝혔다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다. 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드 제품을 양산하고, 2030년 1000단 V낸드를 개발하며 기술 초격차를 이어나간다는 계획이다.
