ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 1200볼트(V) 이하 절연 전압 성능을 보증하는 절연 게이트 드라이버 'STGAP2SiCS'를 출시한다고 2일 밝혔다.
절연 게이트 드라이버는 시그널 블락과 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET을 구동하기 위한 승압된 출력부가 전기적으로 연결되어 있지 않은 게이트 드라이버(전력 증폭기)를 뜻한다.
이는 최대 26V의 게이트 구동 전압을 생성할 수 있으며, 15.5V의 저전압 보호(Under-Voltage Lockout·UVLO) 임계값을 제공해 낮은 저압이 인가될 때 발생할 수 있는 SiC MOSFET의 전도손실(Conduction loss)를 방지할 수 있는 게 특징이다.
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이 제품은 입력 영역과 게이트 구동 출력 사이에 6킬로볼트(kV)의 갈바닉 절연도 제공한다. 4암페어(A)에 달하는 출력 싱크·소스 전류를 제공해 가전 제풉부터 산업용 드라이버, 팬, 인덕션, 히터, 용접기, 무정전 전원 장치 등에 사용할 수 있다.
한편, STGAP2SiCS는 소형 풋프린트 내에서 8밀리미터의 연면거리(불꽃 방전을 일으키는 두 전극 간 거리)를 보장하는 와이드-바디 SO-8W 패키지로 하우징됐으며, 가격은 1000개 구매 시 2달러에 달한다.
☞ 용어설명 : 갈바닉 절연(Galvanic Insulation)
갈바닉 절연은 두 회로가 통신할 수 있게 하고 중간에 원치 않는 직접 전류가 흐르지 않도록 방지하는 회로 설계
