SK하이닉스가 업계 최고층인 176단 4D 낸드플래시 개발을 완료했다.
7일 SK하이닉스는 512기가비트(Gb) 용량의 176단 4D 낸드플래시(트리플레벨셀 방식) 개발을 완료하고, 지난달 샘플 제품을 컨트롤러 업체에 공급했다고 밝혔다.
SK하이닉스가 이번에 개발한 176단 4D 낸드플래시는 적층 수가 늘어남에 따라 이전 세대 낸드보다 생산성은 35% 향상되고, 읽기 속도는 새로운 2분할 메모리 셀 영역 선택 기술을 통해 기존보다 20% 빨라진 것이 특징이다. 데이터 전송 속도도 이전 세대보다 33%나 개선된 1.6기가비피에스(Gbps)를 달성했다.
통상 적층형 낸드플래시는 메모리 셀층 높이가 높아지면 셀 내부의 전류 감소, 층간 비틀림 및 상하 적층 정렬 불량에 따른 셀 분포 열화 현상 등이 발생하게 된다. SK하이닉스는 이러한 한계를 ▲셀 층간 높이 감소 기술 ▲층별 변동 타이밍 제어 기술 ▲초정밀 정렬 보정 등을 적용해 극복하고, 업계 최고 수준의 176단 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다.
SK하이닉스 측은 "이번에 개발한 176단 4D 낸드는 3세대 제품으로 업계 최고 수준의 웨이퍼당 생산 칩셋 수를 확보했다"며 "SK하이닉스는 내년 중반, 최대 읽기 속도는 70%, 최대 쓰기 속도는 35% 향상된 모바일 솔루션 제품을 시작으로 소비자용 솔리드 스테이트 드라이브와 기업용 솔리드 스테이트 드라이브를 순차적으로 출시하는 등 응용처별로 시장을 확대해나갈 예정"이라고 전했다.
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또 "SK하이닉스는 4D 낸드의 개척자로서 업계 최고의 생산성과 기술력으로 낸드플래시 시장을 선도해 나갈 것"이라며 "176단 4D 낸드 기반으로 용량을 2배 높인 1테라비트(Tb) 제품을 연속적으로 개발해 낸드플래시 사업 경쟁력을 높여 나간다는 방침"이라고 덧붙였다.
한편, 4D 낸드플래시는 SK하이닉스가 생산하는 적층형 낸드플래시다. 차지 트랩 플래시 구조에서 메모리 셀을 구동하는 주변부(Peri) 회로가 메모리 셀 밑에 위치한 것이 특징이다.
