삼성, 평택에 EUV 파운드리 라인 구축

2021년 하반기부터 본격 가동 예정..."글로벌 1위 달성 위한 전략"

삼성전자가 시스템 반도체 세계 1위 도약을 위해 평택 캠퍼스에 초미세 파운드리 생산시설을 구축한다.

21일 삼성전자는 이달부터 경기 평택 캠퍼스에 극자외선(EUV) 파운드리 생산라인 공사에 착수했다며, 평택 EUV 생산라인은 오는 2021년 하반기부터 본격적인 가동에 돌입할 예정이라고 밝혔다.

삼성전자 측은 "이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 반도체 비전 2030 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다"며 "삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 V1 라인 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(고성능 컴퓨팅), AI(인공지능) 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다"고 전했다.

EUV는 가시광선보다 파장의 길이가 짧은 광원을 사용해 웨이퍼(반도체 원재료)에 회로를 새기는 반도체 장비를 말한다. 이는 기존 10나노미터대 공정에서 사용했던 불화아르곤(ArF)장비와 달리 웨이퍼에 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄일 수 있어 반도체의 미세화(7나노미터 이하 가능)와 수율을 향상시킬 수 있는 이점을 제공한다.

삼성전자 평택 캠퍼스 항공 사진. (사진=삼성전자)

삼성전자는 지난해 4월 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV를 활용한 7나노미터 공정 기반의 시스템온칩을 출하한 데 이어 같은해 하반기에는 6나노미터 공정 기반의 제품을 양산하기 시작했다. 올해 들어서는 화성 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산규모를 더욱 확대하고, 퀄컴·바이두 등 대형 팹리스(반도체 설계) 기업들과 협력을 추진해 모바일부터 HPC 분야까지 파운드리(반도체 수탁 생산) 영역을 확대해 나가고 있다.

삼성전자는 평택 EUV 생산라인이 2021년부터 가동되면 7nm 이하 초미세 공정 기반의 생산규모는 더욱 가파르게 증가할 것으로 예상했다.

이에 삼성전자는 올해 하반기 7nm 대비 생산성을 더욱 높인 5nm 제품을 화성에서 먼저 양산하고, 이후 평택 파운드리 생산라인에서 주력 생산한다는 계획이다. 또 5G(5세대 이동통신)·HPC·AI·네트워크 등 신규 응용처 확산으로 초미세 공정 중심의 성장이 예상되는 만큼 프리미엄 모바일 칩셋을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.

한편, 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 글로벌 파운드리 시장에서 15.9%의 점유율로 2위를 기록, 1위 TSMC(점유율 54.1%)와 38.2%포인트의 격차를 보였다.