삼성전자가 풀HD 영화를 4초만에 내려받을 수 있는 스마트폰용 내장 메모리를 양산한다.
17일 삼성전자는 역대 최고 속도를 갖춘 512기가바이트(GB) 용량의 내장 메모리 eUFS(embedded Universal Flash Storage) 3.1을 세계 최초로 양산한다고 밝혔다.
eUFS는 국제 반도체 표준화 기구(JEDEC)가 정한 초고속 낸드플래시 메모리 규격 중 하나다. 최신 버전인 eUFS 3.1은 기존 UFS 3.0 대비 3배 빠른 초당 1천200메가바이트(MB)의 연속 쓰기 속도를 지원해 5GB 용량의 풀HD 영화 1편을 4초만에 저장할 수 있다.
이는 직렬 전송 방식을 사용하는 SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 규격의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)보다 2배 이상, UHS-I(Ultra High Speed-I) 규격의 마이크로SD 카드보다 10배 이상 빠른 속도다.
eUFS 3.1의 읽기 속도는 초당 2천100메가바이트, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 10만아이옵스, 7만아이옵스에 달한다.
100GB의 데이터를 스마트폰에 옮길 때 기존 eUFS 3.0 내장 메모리를 탑재한 스마트폰은 4분 이상의 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 내장 메모리를 탑재한 스마트폰 1분 30초면 충분하다는 게 삼성전자의 설명이다.
삼성전자는 올해 eUFS 3.1 내장 메모리를 512GB, 256GB, 128GB 용량의 제품군으로 출시해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점한다는 계획이다.
최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다"며 "올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비할 것"이라고 강조했다.
한편, 삼성전자는 평택 반도체공장(P1)에서 생산 중인 5세대(9x단) V낸드를 6세대(1xx단) V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안 신규 생산라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작해 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 본격 공략한다는 방침이다.
☞용어설명 : V낸드
V낸드란 기존에 단층으로 배열된 메모리 셀을 수직으로 적층한 3D Vertical NAND Flash Memory를 말한다.
V낸드는 기존의 단층형(2D) 낸드플래시를 생산하는 미세공정 기술이 10nm(1nm=10억분의 1미터)대에 이르면서 데이터가 저장되는 공간(셀) 간의 간섭현상으로 오류가 발생하자 이를 대처하기 위한 방안으로 만들어진 차세대 낸드플래시 메모리다.
☞용어설명 : 연속 쓰기 속도/연속 읽기 속도/임의 읽기 속도/임의 쓰기 속도
연속 쓰기 속도는 저장 장치에 보관된 데이터를 저장하는 속도를, 연속 읽기 속도는 저장 장치에 보관된 데이터를 불러오는 속도를, 임의 읽기는 저장 장치와 기기 간의 데이터 입력하는 속도를, 임의 쓰기 속도는 저장 장치와 기기 간의 데이터를 출력하는 속도를 의미한다.
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☞용어설명 : 아이옵스
아이옵스(Input/Output Operations Per Second·IOPS)란 초당 데이터 입출력 횟수(속도)로 하드 디스크 드라이브(HDD), SSD 등의 저장 장치 성능을 나타내는 단위를 말한다.
