웨스턴디지털, 하반기부터 '112단 3D 낸드' 양산

'삼성전자·SK하이닉스' 이어 세 번째...저장용량 30%, 입출력속도 50% 향상

웨스턴디지털이 삼성전자와 SK하이닉스에 이어 112단 3D 낸드플래시 기술개발에 성공했다. 올해 하반기부터 본격적인 양산에 돌입한다는 계획이다.

4일 웨스턴디지털은 키옥시아(구 도시바)와 112단 3D 낸드플래시 기술개발에 성공하고, 올 하반기부터 일본 이메현 욧카이치와 이와테현 카타카미에 위치한 공동 제조시설에서 이를 생산할 계획이라고 밝혔다.

스티브 팩 웨스턴디지털 메모리 기술 및 생산 부문 수석 부사장은 "BiCS5(Bit Cost Scalable' Flash5)의 성공적인 생산은 웨스턴디지털의 플래시 메모리 기술 리더십과 기술 로드맵에 대한 강한 실행력을 보여주는 좋은 예"라며 "다층 메모리 홀 기술 개선을 통해 측면 밀도 증가는 물론 더 많은 스토리지 레이어를 추가함으로써 우리는 소비자들이 기대하는 신뢰성과 가격을 제공하는 동시에 3D 낸드 기술의 용량과 성능을 획기적으로 향상시키게 됐다"고 강조했다.

웨스턴디지털이 기술개발에 성공한 '112단 3D 낸드플래시'. (사진=웨스턴디지털)

웨스턴디지털의 112단 3D 낸드플래시는 512기가비트(Gb) 용량의 트리플레벨셀(메모리 셀당 3비트를 저장하는 방식)과 1.33테라비트(Tb) 용량의 쿼드러플레벨셀(메모리 셀당 4비트를 저장하는 방식)로 구성됐다.

이는 삼성전자와 SK하이닉스가 지난해 양산에 돌입한 100단 이상의 3D 낸드플래시와 비교해 비슷한 구성이다.

웨스턴디지털은 웨이퍼(반도체의 원재료인 실리콘 기판) 간 어레이의 수평 밀도를 대폭 증가시키는 기술을 통해 기존 대비 3D 낸드플래시의 저장용량은 40%, 입출력속도는 50% 향상됐다.

한편, 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 웨스턴디지털은 지난해 3분기 세계 낸드플래시 시장에서 13.7%의 점유율로 시장 3위를 기록했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 같은 기간 각각 33.5%, 9.6%의 점유율로 시장 1위와 5위에 올랐다.