삼성전자, ‘시스템LSI·파운드리’ 사업 지속 성장에 자신

“하반기부터 6nm EUV 양산·차세대 5G 원칩 개발 완료”

반도체ㆍ디스플레이입력 :2019/07/31 11:16    수정: 2019/07/31 11:26

삼성전자가 비메모리 반도체 사업을 미래 성장동력으로 육성 중인 가운데 시스템LSI 및 파운드리 사업부문의 지속적인 성장을 확신했다.

삼성전자는 31일 열린 2분기 실적 컨퍼런스 콜에서 “상반기 5G(5세대) 칩셋 솔루션 공급이 늘었고, 모뎀과 프로세스를 통합한 차세대 원칩 개발에 매진해 미래 SoC(시스템온칩) 리더십 확대위한 노력을 했다”며 “하반기는 스마트폰 시장의 성수기 진입에 따른 모바일 AP(애플리케이션 프로세서), 이미지센서, DDI(디스플레이 구동 칩셋) 등의 계절적 수요 증가가 예상된다. 삼성전자는 6천400만 화소 이미지센서, 7nm(나노미터) EUV(극자외선) AP 등의 고부가 제품 수요가 크게 늘어날 것으로 전망한다”고 말했다.

이어 “삼성전자는 스마트폰 시장의 고스펙 요구에 맞춰 5G SoC 솔루션, 이미지센서 라인업을 확대하는 동시에 3D, FOD(Fingerprint on Display)센서, 전장, IoT(사물인터넷)향 칩셋 개발로 제품 다변화를 통한 중장기 사업 영역 확대 추진하겠다”며 “파운드리는 주요 고객사의 8, 10나노미터 AP 및 이미지센서 수요 증가로 견조한 실적을 달성했다. 10~14나노미터 공정에서 신규 과제가 증가하고 고객 확보로 수주 규모가 크게 증가했다”고 덧붙였다.

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삼성전자 서초사옥 전경. (사진=지디넷코리아)

또 “모바일을 비롯한 HPC(high performance computing), IoT(사물인터넷), 오토모티브, 네트워크, 컨슈머 등 여러 신규 응용처와 미주 중심에서 중국, 유럽, 일본 등으로 지역이 다변화되는 등 미래 성장을 위한 사업 기반을 확대했다”며 “기술적인 성과로는 업계 최초로 7나노미터 EUV 양산 출하를 완료하고, 5나노미터 개발을 완료해 생산준비를 맞쳤다. 세계 최초 3나노미터 GAA(Gate-All-Around) 공정의 고객용 PDK(Process Design Kit)를 배포해 EUV 공정개발에 있어 리더십을 더욱 공고히 했다”고 자신감도 내비쳤다.

나아가 “하반기 모바일 성수기 진입과 글로벌 고객증가에 따라 AP, CIS(이미지센서), DDI 주문확대가 예상된다. 성능과 가격 면에서 최적화된 EUV 6나노미터 양산도 시작할 계획”이라며 “삼성전자는 4나노미터 공정개발 완료 및 인프라 구축을 통해 첨단 공정의 경쟁력을 지속적으로 확보하겠다. 차별화된 스페셜티 공정을 통해 IoT, AR, VR, PMIC, 디스크리트 등 신규 고객 지속을 확대하겠다. 향후 수요를 고려해 8인치 EUV 중심으로 증설 계획 중이며 화성 EUV 라인은 2020년 상반기 가동 예정이다. 화성 S4 라인은 스마트폰향 멀티케카메라, 고화소 트렌드에 대응하기 위해 추가 증설에 나설 계획”이라고 강조했다.