SK하이닉스-IBM...P램 공동개발

SK하이닉스와 미국 IBM이 차세대 메모리 제품 공동개발을 위해 손잡았다.

SK하이닉스는 자사의 미세공정기술력및 제품양산기술력을 IBM의 상변화메모리(Phase Chang Random Access Memory·P램)구현 기술과 결합해 제품 상용화 가능성을 높일 수 있는 기반을 마련했다고 밝혔다. IBM은 P램 공정의 핵심인 상변화 물질 및 멀티레벨셀(MLC) 구현 기술에 관한 연구성과를 확보하고 있다.

SK하이닉스는 지난 8일(현지시간) IBM과 미국 뉴욕시 IBM연구소에서 상변화 메모리(Phase Change Random Access Memory, P램) 공동개발 및 기술 라이선스에 관한 계약을 체결했다고 10일 발표했다.

P램은 결정상태에 따른 저항차이를 이용한 메모리반도체다. D램과 달리 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특성을 갖고 있다. 낸드플래시의 일반적인 읽기 및 쓰기 속도보다 100배 이상 빠르고, 내구성은 1천배 이상 좋으며 D램과 같이 낮은 전압에서 동작이 가능하다.

또 구조가 단순해 생산비용을 줄일 수 있으며 고용량의 제품 개발이 가능해 현재 주력 제품인 D램, 낸드플래시와 함께 새로운 시장을 만들어 갈 차세대 메모리 솔루션으로 평가 받고 있다.

두 회사가 공동 개발하게 될 P램은 엔터프라이즈 서버의 성능 향상 및 전력소비 완화를 위한 저장메모리(Storage Class Memory·SCM) 제품으로 상용화되어 P램의 새로운 응용분야를 개척하게 될 전망이다.

SCM은 서버에서 D램과 SSD의 중간역할을 하는 신개념 버퍼(Buffer) 메모리로, 기존 D램과 SSD의 일부 기능을 보완하는 제품이다.

홍성주 SK하이닉스 연구소장(전무)은 “공동개발 및 라이선스 계약으로 두 회사는 재료·공정·설계 등에서 각 사의 기술적 장점과 자원을 최대한 활용해 PC램의 본격적인 상용화 시기를 앞당길 수 있을 것”이라며 자신감을 내비쳤다.

천 즈치앙 IBM 연구소 부사장은 ”PC램은 컨슈머용 기기에서부터 클라우드 컴퓨팅, 저장장치 및 기업용 솔루션에 이르기까지 다양한 분야에서 저비용, 고성능을 구현해줄 신개념의 메모리 기술”이라며 “공동개발을 통해 PC램 제품의 개발은 더욱 탄력을 받게 될 것” 이라고 말했다.

두 회사는 수년 전부터 PC램 관련 기술을 개발해 왔다. SK하이닉스는 지난 2007년 PC램 개발을 시작해 40나노미터(nm)급 1기가비트(Gb) PC램에 대한 기반기술을 개발했다. 작년 6월 IBM 연구진들은 안정적인 MLC 방식을 통해 PC와 서버의 부팅 속도를 대폭 줄이고, IT 시스템의 전체적인 성능을 높여주는 PC램 기술을 시연했다. 시장조사업체인 가트너는 D램과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등을 포함한 전체 서버용 메모리 시장은 올해 80억 달러에서 2016년 160억 달러 규모로 확대될 것으로 전망했다.