매그나칩반도체(대표 박상호)는 0.11미크론 30V 고전압 파운드리 공정기술을 개발했다고 21일 발표했다.
0.11미크론 30V 고전압 공정은 휴대폰용 디스플레이 반도체 제조의 핵심공정이다. 이 공정은 고전압 트랜지스터 크기와 제품개발에 필요한 마스크 수를 줄임으로써 높은 가격경쟁력을 자랑한다.
절연파괴 전압을 일정하게 유지하며 전력누출, 과전류로 인해 소자특성이 저하되는 래치업 현상을 개선시켜 더 작은 크기의 반도체칩 생산이 가능하다.
매그나칩은 현재 0.11미크론 30V 고전압 공정을 이용한 시제품 생산을 진행 중이다. 내년 상반기 양산을 목표로 하고 있다.
내년 초까지 엠아이엠 캐패시터(MIM Capacitor), 비엔 캐패시커(BN Capacitor), 고저항 폴리 레지스터(Poly Resistor), 고전압 절연형 NMOS, 내장형 쇼트키 다이오드(Schottky Diode) 등 제품성능 향상을 위한 다양한 옵션 공정들을 추가적으로 제공한다는 방침이다.
이찬희 매그나칩 파운드리사업부문 부사장은 “0.11미크론 30V 고전압 공정은 고도의 정밀성이 요구되는 핵심 공정”이라며 “이번 기술을 바탕으로 휴대폰용 반도체 시장에서 입지를 강화하고 향후 주요 팹리스 기업대상 마케팅활동을 보다 활발히 펼치겠다”고 말했다.
매그나칩은 공정기술 라인업 확대를 위해 연말까지 0.11미크론 30V 고전압 공정기술과 동일한 플랫폼이 적용된 0.11미크론 20V 고전압 공정기술 개발을 완료할 계획이다.
