하이닉스반도체(대표 김종갑)는 54나노 기술을 적용해 세계 최고 성능의 1Gb 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 27일 밝혔다.
이 제품은 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서 초고속 데이터 전송속도인 1066Mbps 를 구현할 수 있어 공정 기술 및 전압, 속도 측면에서 세계 최고 성능을 갖춘 모바일 D램 제품이라고 하이닉스측은 설명했다
하이닉스에 따르면 이 제품은 평균 1.2V의 저전압으로 동작하며 최대 1.14V까지 구현해 1.8V를 사용하는 기존 모바일 D램(DDR)의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준의 전력으로 동작할 수 있다.
또한 1066Mbps의 세계 최고속 데이터 전송 속도를 구현, 32개의 정보 출입구(I/O)를 통해 초당 싱글 채널(Single Channel)의 경우 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.
국제반도체표준협의 기구(JEDEC)의 규격을 만족하는 이 제품은 대기 전력 소모를 단축하면서도 빠른 속도를 구현해 모바일 인터넷 디바이스(MID), 넷북 그리고 고성능 스마트폰 등의 모바일 애플리케이션에 적합하다.
또한 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능도 제공돼 탑재되는 기기의 사양에 적합하게 변경해 사용할 수도 있다. 이 제품은 올 3분기부터 양산될 예정이다.
