삼성전자는 10일 40나노급(1나노:10억분의 1미터) 공정을 적용한 (Flex-OneNANDTM)를 개발했다고 발표했다.
삼성전자는 지난 2007년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품 개발로, 고성능 스마트폰에서 퓨전 메모리시장을 한층더 확대한 데 이어 올 3월부터 8기가 플렉스 원낸드를 양산, 고용량 하이엔드 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 예정이다.
이번에 개발된 8기가 플렉스 원낸드 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4기가 제품 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켜 제품 경쟁력을 한 단계 더 강화했다.
삼성전자는 올해 원낸드(OneNANDTM)제품도 40나노급 공정으로 1기가,2기가, 4기가 제품을 양산해 타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.
이번에 개발된 8기가 플렉스 원낸드 제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 플렉스 원낸드의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로(Flexible)디자인할 수 있다. 즉 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용 MLC 플래시를 하나의 칩으로 구현할 수 있다.
이 뿐만 아니라 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NANDTM(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어, 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할때 별도의 소프트웨어가 필요 없도록 개발 편의성을 극대화했다.
최근 시장이 빠르게 확대되고 있는 스마트폰은 터치 방식 도입 및 고해상도 지원으로 갈수록 고기능화, 대용량화되고 있는데, 2008년에는 16기가바이트를 내장한 스마트폰이 등장한 데 이어 2009년에는 32기가바이트 용량의 메모리가 내장될 예정이다.
이번에 개발된 8기가 플렉스 원낸드 제품을 탑재하면 이러한 고용량 내장 스토리지까지 별도의 SW 개발이 필요 없이 사용 가능하다.
8기가비트 플렉스 원낸드 제품은 그 자체로 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있으며, MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능 구현으로 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 하이엔드휴대폰에 가장 적합한 솔루션을 제공한다.
