삼성전자는 연말까지 메모리 반도체 라인 증설 및 공정 업그레이드에 1조520억원을 투자하기로 했다고 14일 공시했다.
삼성전자는 이번 투자가 D램, 낸드플래시 등 메모리 라인을 증설, 생산능력을 확충하고 원가 경쟁력을 갖추는 데에 집중될 것이라고 밝혔다.
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삼성전자는 이번 투자가 D램, 낸드플래시 등 메모리 라인을 증설, 생산능력을 확충하고 원가 경쟁력을 갖추는 데에 집중될 것이라고 밝혔다.
