삼성전자가 288KB EEPROM을 내장한 고성능 스마트카드 칩을 개발했다. 이 제품은 EEPROM를 탑재한 스마트카드 칩으로는 최초로 90나노 공정을 적용한 것으로, 삼성전자는 앞선 미세회로 공정 기술력을 입증함과 동시에 올해 말 양산시 원가 경쟁력도 높일 수 있게 됐다.
※ 스마트카드 칩 : CPU, 메모리, 소프트웨어 등이 탑재된 시스템LSI 반도체로 교통카드, 신용카드, 전자주민카드 등과 GSM/WCDMA 방식 휴대폰의 SIM 카드 등 다양한 제품에 적용되어 사용자 인증, 보안, 개인 정보 저장과 같은 핵심기능을 담당함
※ EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM) : 전기적으로 데이터를 쓰고 지울 수 있으며, 전원 공급이 끊겨도 저장된 정보를 보관하는 非휘발성 메모리의 한 종류
유럽 등에서 최근 확산되고 있는 모바일 TV 시청을 위해서는 모바일 인증(Mobile ID)과 모바일 결제(Mobile Payment) 기능이 필요한데, 이를 원활히 구동하기 위해서는 수십KB의 추가 메모리 용량과 높은 속도의 암호화 프로세서가 요구된다.
이번에 개발한 제품은 288KB EEPROM과 함께 삼성전자가 자체 개발한 고성능 CPU (16bit CalmRISCTM) 기반에 16.5KB SRAM과 384KB ROM을 탑재하여 저장 용량을 높인 것이 특징이다. 또 변조나 해킹 방지 등 보안 기능을 대폭 강화했다.
보안성 강화를 위해 적용된 기술은, ▲미국 상무부에서 공표한 암호화 표준 3-DES (3-Data Encryption Standard) ▲비대칭 방식 암호화 표준인 RSA(Rivest Shamir Adleman)/ECC(Elipstic Curve Cryto) ▲삼성전자가 독자 개발한 암호화 프로세서 'Tornado' 등 이다.
삼성전자는 이번에 288KB EEPROM 외에도 72KB/144KB EEPROM이 내장된 스마트카드 칩도 함께 개발함으로써 제품 포트폴리오를 갖추게 됐다.
삼성전자 시스템LSI 사업부 정칠희 전무는 앞선 미세회로 공정과 보안 프로세서를 적용한 고성능 제품을 지속적으로 선행 개발하고, 다양한 제품 라인업을 제공함으로써 향후 시장을 선도해 나갈 계획이라고 밝혔다.
삼성전자는 이번에 개발한 90나노 EEPROM 신제품 3종을 이 달부터 국내외 스마트카드 업체에 샘플로 공급하기 시작해 올해 말 본격 양산할 예정이다.
한편 90나노 공정 기술이 적용된 320KB/410KB 플래시메모리 내장형 스마트카드 칩을 올 11월, 12월에 각각 샘플로 공급할 예정이다.
이번에 삼성전자가 개발한 90나노 고성능 스마트카드 칩은 시스템LSI 8대 일류화 제품군에 포함되는 제품으로
- 1기 일류화 5대 제품 : 스마트카드 칩(IC), 디스플레이 구동칩 (DDI), MP3P용 IC (미디어플레이어용 IC), 네비게이션용 AP (Application Processor), CMOS 이미지센서
- 2기 일류화 3대 제품 : 디지털TV용(모바일 TV 포함) 반도체, 메모리 스토리지 컨트롤러, 차세대 스토리지용 반도체
시장 조사기관 Frost&Sullivan에 따르면 스마트카드 수요는 올해 약 40억7천만 개에서 2012년 약 75억3천만 개 규모로 증가, 연평균 약 17% 성장할 전망이다.
삼성전자는 2006년부터 SIM 카드용 스마트카드 칩 분야에서 세계 시장점유율 1위를 유지해오고 있으며 최근 발표된 가트너 등 시장조사기관에 따르면 출하량 기준으로 2007년 스마트카드 칩 전체 시장에서 1위 자리에 올랐다. @
