지난해 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스의 합작사로 출발한 뉴모닉스(대표 브라이언 해리슨)는 21일 서울에서 열린 기자회견을 통해 '플래시 메모리 사업의 낙관론과 주요 메모리 사업의 전개방향'을 간략하게 소개하는 자리를 가졌다.
특히 이날 발표자로 나선 브라이언 해리슨 사장은 하이닉스반도체와 함께 운영하고 있는 중국 낸드플래시 합작법인에 대한 투자계획을 밝혀 이목을 끌었다.
브라이언 해리슨 사장은 “합작법인을 설립할 때 하이닉스가 법인 지분 중 66.7%를 ST마이크로일렉트로닉스가 33.3%를 보유하게 돼 있었는데 ST가 그만큼 투자를 못한 것이 사실”이라며 “낮아진 지분율은 뉴모닉스가 채워 기존의 33.3%대 까지 높일 것이다.”라고 말했다.
이 같은 투자안은 합작사인 ST마이크로일렉트로닉스가 하이닉스와 함께 중국의 우쉬공장에서 낸드기술의 개발 및 생산을 해온 파트너쉽을 뉴모닉스가 그대로 승계했기 때문.
이와 함께 해리슨 사장은 올해 플래시 메모리 시장에 대해 경쟁적이고 도전적일 것으로 예측했다.
해리슨 사장은 최근 판매가가 견실해지고 공급량이 시장에서 차츰 균형을 찾아가고 있다. 특히 D램이 올라가면 낸드가 떨어지는 경향도 줄어들고 있어 좋은 징조로 해석된다.라며 낙관적인 전망을 내놓았다.
해리슨 사장은 향후 상변화메모리(PCM, Phase-Change Memory) 등의 차세대 비휘발성 메모리 제품을 주력으로 모바일 및 임베디드 메모리 시장에서의 차별화를 구현할 것임을 확인했다.
사장은 “노어, 낸드, D램을 대처할 PCM에 분야에서 흥미로운 제품들이 많이 쏟아져 나올 것으로 기대된다.”라며 “이 분야에선 모회사의 기술력과 오랜 혁신의 역사를 그대로 가져왔다.”라며 PCM 분야에서 유리한 고지에 있음을 강조했다.
이 회사는 반도체 분야에서 1위 매출 기업인 인텔과 5위인 ST마이크로일렉트로닉스의 합작사로써 플래시메모리반도체 부문 3위 업체다. 인텔의 노어플래시와 P램, ST마이크로일렉트로닉스의 노어(NOR), 낸드(NAND)플래시 및 P램 관련 자산을 인수받았다.
여기에 사모펀드인 프란시스코파트너스와 합작해 휴대폰 및 MP3 플레이어, 디지털 카메라, 하이테크 디바이스 등의 광범위한 소비자 가전 및 산업용 기기의 플래시 메모리를 공급한다.
3사의 지분비율은 ST마이크로일렉트로닉스가 49%, 인텔이 45%, 프란시스코 파트너사가 6%로 뉴모닉스는 지난해 노어 플래시 메모리 시장에서 1위(35.8%), NVM(비휘발성메모리) 시장에선 3위(14.0%)의 시장점유율을 기록했다.
회사는 또한 노어플래시메모리 부문에서 현 65나노미터(nm) 공정에서 45nm 공정으로 빠르게 이전해 저비용, 고효율 구조를 더욱 강화할 계획이다.
또 외부 공급 계약 체결 외에도 웨이퍼 제조 및 어셈블리와 테스트 제조 시설을 모두 보유할 예정이다. 이 회사는 스위스에 본사를 두고 있으며, 미국과 중국, 싱가포르 등 7개 국가에 생산시설을 보유하고 있다.@
