삼성전자, HBM5서 기술 초격차 시동…발열 낮춘 'HPB' 적용 추진

컴퓨텍스 2026서 HBM5 목업·차세대 열관리(HPB) 기술 첫 공개

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권 선점을 위한 기술 초격차에 나선다. 8세대 제품인 HBM5 목업(Mock-up)을 첫 공개하는 한편, HBM의 방열 특성 강화를 위한 신기술을 적용할 계획이다.

2일 삼성전자 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 대만 컴퓨텍스 2026 전시장에서 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.

송재혁 삼성전자 DS부문 CTO가 HBM 샘플을 소개하는 모습(사진=삼성전자)

이날 송 사장은 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"며 "특히 AI 시스템이 초고성능·초고집적 구조로 진화하면서 단순 메모리 성능뿐 아니라 데이터 처리 효율과 열관리 기술까지 핵심 경쟁 요소로 부상하고 있다"고 말했다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 목업을 처음 공개했다. 목업은 제품 개발을 완성하기 전 실제와 동일하게 외형을 제작한 샘플을 뜻한다.

HBM5 대응을 위한 차세대 기술 중 하나는 히트패스블록(HPB)이다. HPB는 AI 메모리 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 물리계층(PHY) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 만든다.

송 사장은 "삼성전자의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 설명했다.

나아가 삼성전자는 이미 HBM4E 제품에 HPB 기술 구현 및 검증을 마쳤다.

삼성전자는 "제품 설계, 메모리, 패키징까지 아우르는 종합 반도체 역량에서 비롯된 것"이라며 "향후 HBM5에 본격 적용해 제품 성능과 안정성을 더욱 고도화해나갈 계획"이라고 강조했다.

또한 삼성전자는 HBM5에 2나노 베이스 다이를 선제적으로 적용하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 웨이퍼 및 칩셋도 공개했다. 삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이가 결합된 구조로, 삼성전자만의 토탈 솔루션 경쟁력이 집약된 제품이다.

지난 달 29일 삼성전자가 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E는 핀당 14Gbps로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현 가능해 한층 진화된 HBM 기술 경쟁력을 입증했다.

송 사장은 "엔비디아를 포함한 글로벌 기업들과의 협력을 기반으로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.