"더 빠르고 더 넓게"...삼성 vs SK하이닉스, 초고속 D램 기술 첫 공개

SK하이닉스, 그래픽·저전력 D램 속도↑...삼성전자, 3.3TB/s HBM4 선봬

삼성전자와 SK하이닉스가 '국제고체회로학회(ISSCC) 2026'에서 차세대 D램 기술을 대거 공개하며 AI 시대 메모리 경쟁의 본격적인 개막을 알렸다. SK하이닉스는 그래픽·모바일용 GDDR7과 LPDDR6, 삼성전자는 HBM4를 발표하며 서버·그래픽·모바일 전 영역에서 차세대 표준을 제시했다.

ISSCC 메모리분과 발표 장표.(사진=전화평 기자)

SK하이닉스, 더 빨라진 그래픽·저전력 D램 공개

김동균 SK하이닉스 펠로우는 26일 스페이스쉐어 서울역 센터에서 진행된 ISSCC 프레스 컨퍼런스 메모리 분과 발표를 통해 국내 메모리 양사의 기술 현황에 대해 설명했다.

먼저 SK하이닉스는 이번 행사에서 핀당 48Gb/s 속도와 24Gb 용량을 갖춘 GDDR7을 공개했다. 이 제품은 대칭형 2채널 모드를 적용해 GPU·AI 엣지 추론·게이밍 등 고대역폭 환경을 겨냥한 설계다.

김 펠로우는 “AI 시대에는 D램에서 요구되는 인터페이스 대역폭이 모든 세그먼트에서 빠르게 증가하고 있다”며 “GDDR7도 48Gb/s까지 속도가 올라가고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 GDDR7 내 ▲인터페이스 ▲내부 회로 ▲프로세스 등을 개선하며 속도를 더 빠르게 조정했다.

또한 SK하이닉스는 14.4Gb/s LPDDR6도 처음 공개했다. 기존 LPDDR5(9.6Gb/s) 대비 대역폭이 크게 늘어나며, 생성형 AI 기능을 내장한 고성능 스마트폰·AI PC·엣지 디바이스용으로 최적화된 모바일 D램 기술이다.

삼성전자 HBM4 실물.

삼성전자, 36GB·3.3TB/s HBM4첫 공개…AI 서버용 초고대역폭 메모리

삼성전자는 이번 ISSCC에서 36GB 용량과 3.3TB/s 대역폭을 구현한 차세대 HBM4를 처음으로 선보였다. HBM4는 1c D램 공정을 기반으로 TSV(실리콘 관통 전극) 구조를 고도화해 채널 간 신호 지연을 줄이고, 차세대 AI 가속기가 요구하는 초고대역폭·저전력 전송 성능을 확보한 것이 특징이다.

이날 발표 자료에 따르면 삼성전자의 HBM4는 기존 세대 대비 대역폭이 크게 향상돼 대규모 파라미터를 처리하는 AI 학습·추론 시스템에서 병목을 최소화할 수 있다. 특히 고성능 GPU 및 AI ASIC 업체들이 요구하는 3TB/s 이상 메모리 처리량을 만족해, 내년 이후 출시될 AI 서버용 가속기에 폭넓게 도입될 것으로 전망된다.

김 펠로우는 “D램은 밴드위스(대역폭), 파워 이피션시(전력 효율) 요구를 충족하기 위해 계속 진화하고 있다”며 “GDDR7, LPDDR6, HBM4 모두 그런 트렌드상의 진화를 반영한 제품”이라고 설명했다.