탄력 받는 메모리 3강 '1c D램' 투자…AI·HBM 시장 겨냥

삼성, 평택·화성서 투자 집행…SK하이닉스는 M14서 전환투자 논의

주요 메모리 기업들이 1c(6세대 10나노급) D램 투자에 속도를 낸다. 삼성전자는 올 상반기부터 이미 양산라인 구축을 시작했으며, SK하이닉스는 최근 전환투자를 위한 구체적인 방안을 논의 중인 것으로 파악됐다. 마이크론 역시 이달 일본 정부로부터 1c D램 신설에 대한 보조금을 지급받았다.

21일 업계에 따르면 주요 메모리 기업들은 1c D램 양산을 위한 신규 및 전환투자에 집중하고 있다.

SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 1c DDR5 (사진=SK하이닉스)

1c D램은 주요 메모리 기업들이 올 하반기 양산을 목표로 둔 차세대 D램이다. 삼성전자의 경우 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 선제적으로 1c D램을 채용하기로 했다. SK하이닉스·마이크론은 서버 등 범용 D램에서부터 1c D램을 활용할 계획이다.

삼성전자는 1c D램 생산능력 확대에 가장 공격적으로 나서고 있다. 현재 평택 제4캠퍼스(P4)에서 신규 1c D램 양산라인을 구축하고 있으며, 화성 17라인에서도 1c D램에 대한 전환 투자를 추진 중이다. 연말까지 확보할 생산능력은 최대 월 6만장으로 추산된다.

SK하이닉스는 지난 7월 2025년 2분기 실적발표에서 "1c D램의 전환투자는 올 하반기부터 시작돼 내년 본격적으로 진행될 것"이라며 "현재 경영 계획을 수립하고 있어 추후 구체적인 계획이 확정되면 공유할 것"이라고 밝힌 바 있다.

업계에 따르면 해당 전환투자는 이천 M14 팹에서 진행될 가능성이 유력하다. M14는 기존 낸드 라인이었으나, D램 양산으로 용도를 변경해 온 팹이다. 현재 SK하이닉스는 이곳의 구형 D램 설비를 들어내고 1c D램 라인을 도입하는 방안을 논의 중인 것으로 알려졌다.

반도체 업계 관계자는 "1c 공정은 서버용 고부가 D램은 물론, HBM4E(7세대 HBM)에도 활용될 수 있어 SK하이닉스가 주목하고 있는 분야"라며 "아직 설비투자가 확정된 것은 아니나 내년 전공정 분야에 활발한 투자가 집행될 것으로 보고 있다"고 설명했다.

마이크론 역시 1c D램 투자에 속도를 낼 것으로 관측된다. 일본 경제산업성(METI)는 이달 중순 마이크론이 히로시마 지역에 신설 중인 D램 공장에 최대 5천360억엔(한화 약 4조7천억원)의 보조금을 지원한다고 발표했다.

해당 공장은 마이크론의 1γ(감마) 공정 양산을 주력으로 양산할 계획이다. 가동 목표 시기는 오는 2027년이다. 1γ는 국내 반도체 업계에서는 1c D램에 대응하는 공정으로, 마이크론 역시 HBM4E에 해당 공정을 채용할 것으로 예상된다.