SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 12단을 내년에 양산한다. 기존 양산 계획인 2026년에서 1년 앞당긴 것이다. 삼성전자가 HBM4 양산 시기를 2025년으로 밝혀온 가운데, SK하이닉스도 같은해 양산에 돌입한다고 발표하면서 차세대 HBM 양산 경쟁은 더욱 심화될 것으로 보인다.
SK하이닉스 2일 이천 캠퍼스에서 곽노정 최고경영자(CEO) 등 주요 임원진이 참석한 가운데 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'이라는 주제로 기자간담회를 열고 HBM 등 AI 메모리 로드맵과 주요 투자 계획을 발표했다. 이날 SK하이닉스는 변경된 HBM4 12단 양산 일정을 처음으로 공개했다.
HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E)·4세대(HBM3) 제품이 공급되고 있으며, 올해부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다. HBM4는 6세대에 해당된다.
SK하이닉스는 일주일전 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서도 HBM4 양산을 2026년에 한다고 밝혀 왔는데, 시기를 1년 앞당기기로 조정했다. 이에 따라 SK하이닉스는 HBM4 12단을 내년 3분기, HBM4 16단은 2026년에 양산한다는 계획이다. 2028년부터 가동을 시작하는 미국 인디애나 팹에서는 HBM4 16단 또는 더 선단 제품을 생산할 것으로 관측된다.
SK하이닉스가 양산 시기를 앞당긴 배경에는 커스터마이징 HBM이 적용되는 HBM4부터 주요 빅테크 기업들의 요구사항을 충족시키고 빠르게 고객을 확보하려는 전략으로 보인다. 이와 관련해 SK하이닉스는 주요 고객사들과 이미 긍정적인 논의를 진행하고 있는 것으로 알려진다.
이날 간담회에서 곽 CEO는 "HBM은 과거 메모리 패턴과 달리 고객들과 협의를 완료한 상태에서 고객 수요에 맞춰서 공급량을 증가시키고 있다"며 "최근 CSP(클라우드 서비스) 업체들의 AI 서버 투자가 확대되고 있고 AI 서비스의 질도 지금 계속 올라가고 있기 때문에 추가 HBM 수요가 있을 것으로 예상된다"고 설명했다. 이어서 그는 "HBM4 이후 되면 맞춤형(customizing) 수요가 증가하며 그게 트렌드가 되고, 수주형 비즈 성격으로 옮겨간다"고 덧붙였다.
일각에서는 SK하이닉스가 경쟁사인 삼성전자의 추격을 의식해 HBM4 양산 시기를 앞당긴 것으로 해석된다. 지금까지 삼성전자는 내년부터 HBM4를 양산한다고 밝혀왔다.
곽 CEO는 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 올해 이미 솔드아웃(Sold-out, 완판)인데, 내년에도 대부분 솔드아웃됐다"라며 "HBM 기술 측면에서도 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산할 수 있도록 준비 중이다"고 말했다.
아울러 SK하이닉스는 HBM4 패키징에서 글로벌 최대 파운드리 업체인 TSMC와 협력한다는 점도 강조했다. TSMC는 엔비디아, AMD의 AI 반도체를 생산한다.
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김주선 AI 인프라 사장은 "TSMC와 로직 공정을 활용해 베이스 다이를 제작할 계획"이라며 "이전 부터도 TSMC와는 많은 기술적 협업을 해 왔었고, 최근에는 당사 HBM 로직 다이 타임 투 마켓(time to market) 전략을 포함한 기술 전반 시프트 레프트(shift left) 전략을 협업하면서 훨씬 더 뎁스 있는 기술 교류를 전개할 계획이다"고 말했다.
곽 CEO는 "AI 반도체는 기존 범용 반도체의 기술 역량에 더해서 고객 맞춤형 성격이 있기 때문에 반도체 개발과 시장 창출 과정에서 글로벌 협력이 굉장히 중요하다"고 덧붙였다.