HP-하이닉스, "차세대 R램 2013년 상용화"

HP와 하이닉스가 차세대 저장장치용 물질로 기대를 모으고 있는 멤리스터(memristor)를 이용해 저항변화램(ReRAM·R램)상용화에 나선다. 고객들이 사용할 수 있는 수준의 R램은 2013년 말에 나올 예정이다.

EE타임스는 31일(현지시간) HP가 자사의 멤리스터 기술을 상용화하기 위해 하이닉스와 공동기술개발 협약을 맺었다고 보도했다.

두 회사는 HP의 멤리스터기술을 연구개발수준에서 R램 형태로 개발하기 위해 공동으로 이 새로운 물질과 통합기술공정을 개발한다.

R램은 22나노미터나 그 이하 공정에서 개발되는 기존 플래시메모리를 대체할 유망한 기술로 기대를 모으고 있다.

■꿈의 소재 '멤리스터'로 차세대 R램 만든다

HP에 따르면 이번 협약은 독점계약은 아니어서 HP는 R램분야에서 다른 회사와도 공동작업을 할 수 있다.

보도에 따르면 스탠 윌리엄스 HP선임 펠로이자 HP랩의 정보양자시스템연구소 이사는 “HP자신은 R램 사업에 참여하길 원치 않는다”고 말했다. 결국 HP는 R램을 자체 제품용으로 사용하길 원한다고 윌리엄스 펠로는 말했다.

Fe램,M램, P램, 그리고 R램은 차세대 메모리 기술인데 이 가운데 특히 R램은 낸드플래시보다 100배 이상 빠른 연산속도와 더 많은 정보저장능력을 자랑하는 저전력 비휘발성 메모리다. 이 때문에 고체스토리지와 PC용 메인메모리, 그리고 플래시 메모리를 대체할 꿈의 저장 소자로 불린다. HP에 따르면 R램은 플래시나 D램, 또는 하드드라이브처럼 작동한다.

저항스위칭메모리는 저항성(resistivity)으로 도전성 높은 상태와 낮은 상태를 전기적으로 연결시켜 주는 물질인 멤리스터에 기반해 만들어진다. R램은 전하 기반의 플래시메모리와 비교할 때 타고난 확장특성을 가지고 있더 적은 셀에서도 집적도 높은 크로스바형태의 P램어레이를 만들 수 있다. 이 때문에 기존 메모리 용량을 한계를 극복해 나갈 미래의 저장매체로 기대를 모으고 있다.

도전성 높은 상태와 낮은 상태를 전기적으로 연결시켜주는 물질에 기반한 것이다. R램은 전하 기반의 플래시메모리와 비교할 때 고유의 확장성을 갖고 있어 적은 셀의 용량으로도 집적도 높은 크로스바형태의 P램어레이를 만들 수 있어 미래의 메모리 용량을 확대할 저장매체로 기대를 모으고 있다.

올초 HP는 멤리스터가 로직기능도 수행할 수 있다는 사실을 발견했다고 발표했다. 이는 멤리스터로 만들어지는 소자가 언젠가는 메모리 공간에서 CPU기능까지 함께 수행될 수 있다는 가능성을 제시한 것이다.

■2013년 등장할 Re램 사용자와 경쟁사는?

윌리엄스 펠로에 따르면 R램은 '저장매체에서의 다크호스'로서 고객들이 사용할 수 있는 수준의 R램은 2013년 말에 나올 예정이다.

멤리스터(Memrister)는 메모리저항소자(Memory Resistor)의 준말로서 이번 계획이 예정대로 이뤄지면 지난 1971년 버클리대의 레온 추아에 의해 4번째 회로 원소로 추정된 이 물질이 32년 만에 실제 제품으로 등장하게 된다.

윌리엄스는 “원래 HP는 이 분야에서 하이닉스와 일해 왔지만 다른 반도체 업체와도 일하기를 원하고 있어 이것이 결국 Re램을 경쟁적 가격에 공급할 수 있도록 하게 만들 것”이라고 전망했다.

하이닉스는 멤리스터기술을 자사 연구개발팹에 설치해 R램 신제품을 개발할 것으로 알려졌다. 이 회사는 이와 별도로 삼성전자,그랜디스 등과도 각각 R램의 경쟁기술인 M램 기술을 공동개발중이다.