포스텍은 18일 신소재공학과 이규철 교수가 이끄는 반도체 나노막대 연구단이 최근 스위스 제네바에서 열린 ‘제36회 2008 제네바 국제발명ㆍ신기술 전시회’에서 ‘나노 디바이스 및 이를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법’ 특허를 출품해 금상을 수상했다고 밝혔다
이 특허는 실리콘 기판에 나노벽, 나노튜브의 형상과 크기를 자유자재로 조절하여 원하는 위치에 제조하는 기술과 이를 이용한 다양한 나노 소자의 제조방법에 관한 것이다. 촉매나 깎아내는 방식의 광식각 공정을 사용하지 않아 나노 구조물의 오염 및 표면 손상이 전혀 없는 우수한 반도체 나노소재 및 소자를 대량으로 생산하는 기술이다.
특히 이 기술은 기존의 실리콘 기반 공정을 그대로 사용해, 적은 생산비용으로 대면적 공정이 가능하고, 초고집적 반도체 나노소자, 전계방출 평판디스플레이, 광결정 등을 효율적으로 구현할 수 있기 때문에 현지 과학기술인들로부터 호평을 받았다.
이 대회에 참석한 러시아 과학기술부는 이규철 교수팀이 발표한 나노 기술의 독창성과 우수성을 인정해 대회장에서 특별상을 수여했다. 또, 이 기술의 발명자 중 한 명인 포스텍 박사과정 홍영준㉙ 씨는 뛰어난 연구 성과를 인정받아 바우만(Bauman) 모스크바 국립공대 학장의 개인특별상까지 수상했다.
이 교수는 “이 기술은 나노구조물의 위치, 크기와 모양을 매우 쉽게, 자유자재로 조절할 수 있는 반도체 제조의 원천기술로서, 기존의 광식각공정의 한계를 극복할 수 있으므로 고품질, 고집적의 광소자와 전자소자 제조 등 다양한 응용분야에 유용하게 활용될 수 있다.”고 밝혔다.
이 연구결과는 신소재 분야의 세계적 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼즈(Advanced Materials)’ 지에 출판될 예정이다.
