삼성, 서버용 256GB 3DS RDIMM D램 공개

용량 2배 확대하고 소비 전력 효율 30% 개선

삼성전자가 서버용 256기가바이트(GB) 3DS RDIMM을 업계 최초로 공개했다. 이전 제품인 128GB RDIMM 대비 용량은 2배 확대됐고, 소비 전력 효율은 30% 개선됐다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS·부품) 부문 메모리사업부는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 열린 '삼성 테크데이(Samsung Tech Day) 2018'에서 차세대 반도체 솔루션을 발표했다.

지난해에 이어 두 번째로 개최된 올해 행사엔 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 테크(Tech) 파워 블로거 등 500여명이 참석했다.

이날 삼성전자는 256GB 3DS RDIMM과 기업용 7.68테라바이트(TB) 쿼드 레벨 셀(QLC·4비트) 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD), 6세대 V낸드 기술 등 신제품과 신기술을 대거 선보였다.

256GB 3DS RDIMM은 중앙처리장치의 정보를 처리하는 메인 메모리에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 향상시키는 기술인 '인메모리 데이터베이스(In Memory DataBase)' 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다.

3DS RDIMM은 실리콘 3차원(3D) 적층 기술을 활용, 연결해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램 모듈이다.

특히 신제품엔 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급(1y) 16Gb DDR4 D램이 탑재됐다고 삼성전자는 강조했다.

삼성전자가 지난해 세계 최초로 양산해 공급한 10나노급 2세대(1y나노) D램. (사진=삼성전자)

장성진 삼성전자 메모리 D램 개발실 부사장은 "지난해 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급 D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산과 LPDDR5·GDDR6·HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다"며 "향후 극자외선(EUV) 공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대해 사업 위상을 더욱 높여나갈 것"이라고 말했다.

이어 삼성전자는 기업용 7.68TB 4비트 서버 SSD를 공개했다. 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자용 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어, 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대한다는 방침이다.

또 이 회사는 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와, 멀티 레벨 셀(MLC·2비트) 설계를 통해 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb·MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향을 제시했다.

경계현 메모리 플래시 개발실 부사장은 "내년 양산 예정인 6세대 V낸드는 기존 '1-스택(Stack)'의 극한 연장과 신개념 설계를 통해 3비트 V낸드 역대 최고 성능을 구현할 것"이라고 기대했다.

삼성전자는 빅데이터에 특화된 키 밸류(KV) SSD, 인공지능(AI) 머신러닝용 스마트SSD(SmartSSD), 고속 네트워크용 SSD와 스토리지를 결합한 NVMeoF SSD 등 새로운 솔루션을 제공해 다양한 고객들과의 오픈 이노베이션을 확대해 나갈 예정이다.

또 차세대 IT 시장에 최적화된 메모리 기술을 선행 개발해 나가는 한편, 평택 라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속 확대해 고객 수요에도 적극 대응할 계획이라고 삼성전자는 덧붙였다.