[프로필] 남석우 삼성전자 반도체연구소 공정개발실장(부사장)

삼성전자는 2018년 정기 임원 인사를 통해 남석우 삼성전자 반도체연구소 공정개발실장(부사장)을 선임했다고 16일 밝혔다.

◇남석우 삼성전자 반도체연구소 공정개발실장(부사장) 약력

남석우 삼성전자 반도체연구소 공정개발실장(부사장)

▲1966년 출생(51세)

▲1988년 연세대 요업공학 학사 졸업

▲1996년 연세대 세라믹공학 석사 졸업

▲2003년 연세대 세라믹공학 박사 졸업

▲88.01 ~ 91.08 전자 입사, 공정기술팀, 공정기술2과內

▲91.09 ~ 94.04 전자 메모리사업부 시작운영부內

▲94.05 ~ 99.02 전자 메모리사업부 RS기술팀內

▲99.03 ~ 03.01 학술연수(박사, 연세대)

▲03.02 ~ 05.07 전자 메모리사업부 DT기술그룹內

▲05.08 ~ 07.01 전자 메모리사업부 NRD-P/J

▲07.02 ~ 08.06 전자 메모리사업부 공정기술2그룹장

▲08.07 ~ 09.01 전자 메모리사업부 NRD공정기술1그룹장

▲09.02 ~ 09.12 전자 반도체연구소 NRD공정기술1그룹장

▲10.01 ~ 14.12 전자 반도체연구소 공정개발1P/J장

▲14.12 ~ 17.05 전자 반도체연구소 공정개발1팀장

▲17.05 ~ 현 재 전자 반도체연구소 공정개발실장