“7나노 D램 가능”…킬로패스, 韓반도체에 구애

VLT 기술 내세워 삼성-SK하이닉스 영업 강화

“스토리지 커패시터를 제거해 7나노 공정의 D램 개발을 앞당길 수 있다.”

찰리 쳉 킬로패스 CEO는 11일 서울 삼성동에서 열린 기자 간담회에서 D램 설계 기술인 VLT를 설명하면서 이같이 말했다.

이 회사는 미국 실리콘밸리에 소재한 반도체 지적자산(IP) 회사다. 삼성전자나 SK하이닉스 등 주요 반도체 회사에 OTP 안티퓨즈 기술을 제공해왔다. 여러 반도체 회사와 협력 관계에 있지만 규모 면에서는 작년 매출 5천만 달러 수준의 스타트업이다.

이런 회사가 7나노 D램 개발이 가능하다고 밝힌 점이 주목된다.

현재 메모리 반도체 업계가 양산중인 공정 단계를 몇발자국 앞서가는 그림이기 때문이다.

글로벌 D램 3강은 삼성전자와 SK하이닉스, 미국의 마이크론이 꼽힌다. 이 가운데 삼성전자만 10나노 후반대 D램을 올해 들어 양산하기 시작했다. 다른 회사들은 20나노 초반 정도다. 시스템반도체의 경우 현재 14나노에서 10나노로 움직이고 있지만 D램은 전하를 저장하는 커패시터의 용량 때문에 미세공정 전환이 상대적으로 느린 편이다.

반면 킬로패스는 커패시터를 없애고 7나노 D램까지 만들 수 있는 기술을 보유하고 있다고 주장했다.

찰리 쳉 CEO는 “VLT 비트셀 기술은 2015년에 검증을 마쳤고, 메모리 매크로 테스트 칩은 현재 테스트 단계에 있다”며 “라이선스 고객사들이 새로운 D램 로드맵 발전을 막는 걸림돌을 없애 새로운 D램 아키텍처로 나갈 수 있다”고 설명했다.

그는 또 “동일한 공정 기술로 제조할 경우, 비용을 45% 낮출 수 있는 DDR 호환 기술을 확보할 수 있다”며 “대기전력 소비를 10배나 줄이고 성능은 15% 높일 수 있다”고 덧붙였다.

기술 우위 확보가 가능하니 D램 회사들의 구애를 받겠다는 것이다.

제조비용을 45%나 줄이는 만큼 라이선스 비용이 문제가 되지 않을 것이란 점도 거듭 강조했다.

킬로패스는 향후 국내서 이같은 활동을 더욱 적극적으로 전개할 전망이다. D램 최상위권 회사 두곳이 한국에 있고, 두 회사의 시장점유율 합은 절반을 넘기 때문이다.